Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası
Azərbaycanın ilk veb saytı (1995)
Elm TV
Foto
Video
Cəfərova Elmira Əsəd qızı
| Anadan olduğu yer | Naxçıvan şəhəri |  |
| Təvəllüdü | 07.06.1937 | |
| Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi | Moskva Dövlət Universiteti, Fizika fakültəsi | |
| Elmi dərəcəsi | Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru | |
| Elmi rütbəsi | Dosent | |
| Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
01.04.10 Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası Diffuziya yolu ilə alınmış n- və p- bazalı silisium diodlalinin reaktiv xassələrinin tədqiqi |
|
| Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
01.04.04 Fiziki elektronika Dərin aşqar səviyyəli germanium, silisium və onlar əsasında çəpər quruluşlarda qeyri- stasionar elektron prosesləri |
|
| Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı - beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı |
140
50 30 |
|
| Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı | 5 | |
| Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı - elmlər doktorlarının sayı |
3 |
|
| Əsas elmi nailiyyətləri | 1. Qeyri-stasionar tutum spektroskopiyası, fototutum, electron paramaqnit rezonansı metodları ilə Si və Ge əsasında hazırlanmış, keçid metallarının ( Ni, W,Ti və Ta) dərin aşqarları daxil edilmiş p-n və MDY quruluşlarında electron prosesləri kompleks şəkildə tədqiq edimişdir.
2. İlk dəfə olaraq Al-SiO2-nSi- Me quruluşlarında elektrik sahəsi tətbiq etməklə Al kanalı vasitəsilə p- n keçid alınmasının mümkünlüyü göstərilmiş və electron- mikroskopik tədqiqatlar vasitəsilə təsdiq olunmuşdur. n-Si əsasında elektrik müqaviməti aşırıçısı hazırlanma üsulu təklif olunmuş və gərginlik qida mənbəyi dövrədən çıxarıldıqdan sonra informasiyanı saxlamağa imkan nerən yaddaş oyuğu hazırlanmışdır. 3. İn2O3-SiO2-pSi-Me quruluşlarında işığa həssalığın gərginlik vasitəsilə idarə olunması imkanı göstərilmişdir. |
|
| Elmi əsərlərinin adları | 1. Investigation of p-n junctions n- Si obtained by electromigration of Al through a thin SiO2film. Sol. State Commun. 1984,v. 49, №3, p.273-278, №3,c.52
2. Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe-SiO2 ФТП, 2002, т.36, №7, с.858-860 3. Диэлектрические свойства пленок SiOx переменного состава Fizika 2008, том.14, №3,с.52, 4. Влияние электроактивного никеля на свойства Ni.Неорганические материалы , 2010, т.46, вып.10, с. 1163-1166, 5. Влияние эмиттерного тока на свойства коллекторного перехода Si и Ge структур. Неорганические материалы, 2012, том.47,№3, с. 261265 6. Jafarova E.A, Z.Y.Sadygov, F.I.Ahmadov, A.Z.Sadyqov, A.A.Dovlatov, L.A.Aliyeva, E.S.Tapdyqov Features of barrier capacitance mikropixel avalanche Photodiodes at different frequencies. Universal journal of Physics and Applications,2016 , v. 10 ,№1,p 1-4 |
|
| Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü | ||
| Pedaqoji fəaliyyəti | 1977-1985 - Azərbaycan Texniki Universiteti, elektronika kafedrasında müəllim | |
| Digər fəaliyyəti | AMEA Fizika İnstitutu Elmi Şuranın üzvü | |
| Təltif və mükafatları | Grantlar:
1. Azərbaycan MEA və -Belarus MEA-nin birgə layihəsi”CuIn(Ga)Se2halkopirit yarımkeçirici materiallar əsasında naziktəbəqəli günəş elementlərinin alınması və tədqiqi” 2009-2011-ci illər 2. UETM regulyar layihəsi ”Halkopirit quruluşlu Cu(InGa)(SSe)2 materiallar əsasında naziktəbəqəli günəş elementlərinin alınması və tədqiqi” 2012-2014-ci illər |
|
| Əsas iş yeri və ünvanı | AMEA Fizika İnstitutu, AZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131 | |
| Vəzifəsi | Laboratoriya rəhbəri | |
| Xidməti tel. | (+994 12) 5394057 | |
| Mobil tel. | (+994 51) 8875253 | |
| Ev tel. | (+994 12) 4408322 | |
| Faks | ||
| Elektron poçtu | celmira1@rambler.ru | |