Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası

Azərbaycanın ilk veb saytı (1995)

ANA SƏHİFƏ  >>  Fizika İnstitutunun fəlsəfə doktorları

Mursakulov Niyazi Nəsrəddin oğlu

 

Anadan olduğu yer Gürcüstan, Marneuli şəhəri 
Təvəllüdü 29.05.1948 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Azərbaycan Dövlət Universiteti 
Elmi dərəcəsi Fizika-riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru
Elmi rütbəsi Dosent 
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı



01.04.10, 2220.01

Fizika, Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası 

“İnAs1-xSbx- Ga1-yAlySb heterokeçidlərinin alınması və onların  elektrik, fotoelektrik və elektrolüminessent xassələrinin tədqiqi”
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

120

 

11

 

5
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı
Kadr hazırlığı:     

- fəlsəfə doktorlarının sayı

 
Əsas elmi nailiyyətləri İn-As-Sb sistemi faza diaqramının İn küncündə tədqiq edilmiş. Yüksək keyfiyyətli epitaksial İnAsxSb1-x təbəqələri alınmış onlar əsasında İnAs/İnAsxSb1-x, İnAsxSb1-x/Ga1-yAlySb,  İnAsxSb1-x/Ga1-yİnyAszSb1-z, İnAsxSb1-x/İnAs1-y-xSbyPz heterokeçidləri alınmışdır. Bu, alınmış epitaksial təbəqələrin və onlar əsasında yaradılmış heterokeçidlərin elektrik, fotoelektrik və elektrolüminessent xassələri tədqiq edilmiş, həmin epitaksial təbəqələrdə və heteroquruluşlardakı fiziki proseslərin mexanizmləri göstərilmişdir. Elektromaqnit  şüalanmanın 2-4 mkm dalğa diapazonunda həssas fotodiodlar və effektiv işıq diodları hazırlanmışdır.
Halkopirit quruluşa malik Cu(İnGa)(SeS)2 materiallarının maqnetron tozlamdırılması, prekursorların selenizasiyası və sulfirizasiyası üsulu ilə alınma texnologiyası işlənmişdir. GaAs/CuİnSe2. Cu(İnGa)(SeS)2 əsasında alınmış heterostrukturların elektrik və fotoelektrik xassələri tədqiq edilmiş, aşqar və defektlərin səviyyələri müəyyən edilmiş. Bu proseslərin riyazi modeli verilmişdir.  
Elmi əsərlərinin adları 1. Бергман Я В, Извозчиков Б В, Корольков В И, Мурсакулов Н.Н., Прамоторова Л Д, Третьяков Д Н. Исследование фотоэлектрических свойств гетеропереходов InAs-InSb. Физика и Техника полупроводников т.10, 1565, 1976,

2. Алферов Ж И, Жингарев М З, Корольков В И, Мурсакулов Н.Н., Прамоторова Л Д, Третьяков Д Н. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов InAs-GayAl1-ySb. Физика и Техника полупроводников т12, 2,1978.

3. Bert N A, Gingarev M.Z.,Konnikov S.G., Mursakulov N.N., Tretyakov D.N. Investigation of InAs-InSb solid solution heteroepitaxial layers and struktures Kristall und Technik, v7, 1980.

4. Джафаров Т Д, Байрамов А И, Мурсакулов Н.Н. и др Способ изготовления туннельных диодов А С N154862. 1990.

5. Mursakulov N.N. Features of the epitaxial layers of solid solutions InAs1-x-pSbxPy lattice-matched the substrate InAs. Inst.Phys.Conf.Ser.No152: Section B: Thin Film Growth and Characterization, ICTMC-11, pp341-344, Solford, 1998.

6. A.A.Bayramov, N.N.Mursakulov, Sh.M.Hasannli, N.A.Safarov, B.A.Mamedov, N.N.Abdulzade, U.F.Samedova, X.M.Mamedova, R.K.Guseynov Investigation of Si-SiO2/obligo-β-naphthol/metal heterostructures. Jour. “Scientific Israel - Technological Advantages” Vol.11, #1, pp. 9-14 (2009).

7. А.М.Гашимов, А.А.Байрамов, Н.Н.Мурсакулов, Н.А.Сафаров. Способ повышения эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую и устройство для его реализации. № международной публикации:-WO 2009/105840 A1, дата международной публикации:-03.09.2009

8. Ш.М.Гасанли, Н.Н.Мурсакулов, У.Ф.Самедова, Н.Н.Абдулзаде, Б.А.Мамедов, Р.К.Гусейнов. Особенности механизмов проводимости в гетероструктурах Si/олиго-β-нафтол/металл. Физика и техника полупроводников, 2010, том.44, вып.7, сс 905-909.

9. N.N.Mursakulov, M.Xəlilov, N.N.Abdulzadə. Beşdilli izahlı ekologiya lüğəti. Bakı, “Təknur” MMS, 2004. 188 s.

10. В.Ф.Гременок, В.Б.Залесский, Н.Н.Мурсакулов, М.С.Тиванов. Тонкопленочные солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов Cu(İn,Ga)(Se,S)2со структурой халькопирита. Баку, из-во «ЭЛМ», 2013. 251 с.

11. .M. V. YakushevV.A. Volkov, N.N. Mursakulov, Ch.E. Sabzaliyeva and R.W. Martin . RBS-channeling study of radiation damage in Ar+ implanted CuInSe2 crystals. J. Vac. Sci. Technol. A 34, 051203 (2016); (http://dx.doi.org/10.1116/1.4961882 ) (pp1-6)  

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti AzTU və BDU-da ixtisas fənnlərindən (heterokeçidlərin alınma texnologiyası, optoelektronika, nanotexnologiya) mühazirələr. Bakalavr və maqistr dissertasiya işlərinə rəhbərlik. Bakının “İdrak” litsey-gimnaziyasında və 82 saylı orta məktəbində fizika müəllimi. 
Digər fəaliyyəti  Azərbaycan Demoqraflar Assosiyasiyasının prezidenti 
Təltif və mükafatları 1. İSAR fondunun qrantı. “Ramananın demoqrafik və ekoloji mənzərəsi” 1998.

2. Soros fondunun individual qrantı.

3. REM Qafqaz fondunun qrantı. Beşdilli izahlı ekologiya lüğətinin yaradılması. 2000.

4. BP Azərbaycanın qrantı. Xəzərdə nərəkimilərin populyasiyasının tədqiqi. 2004.

5. UETM-in və AMEA-nın müştərək 5525 saylı qrantı. Darzolaqlı A3B5 qrup yarımkeçiricilər əsasında orta İQ dalğa diapazonu üçün foitodiod və işıq diodlarının işlənməsi. 2006

6. Azərbaycan və Belarus Milli Elmlər Akademiyalarının müştərək qrantı. Halkopirit yarımkeçiricilər əsasında nazik təbəqəli günəş elementlərinin alınma texnologiyasının işlənməsi. 2008

7. Azərbaycan Prezidenti yanında Elmin İnkişafı fondunun qrantı. EİF-2011-1(3)-82/03/1-M-68.Nazik təbəqəli CİGSS materialları əsasında günəş elementlərinin alınma texnologiyasının işlənməsi.

8. UETM-in 5611 saylı qrantı. Halkopirit quruluşa malik  Cu(InGa)(SeS)materialları əsasında nazik təbəqəli günəş elementlərinin alınması və tədqiqi. 
Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnstitutuAZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131
Vəzifəsi Aparıcı elmi işçi 
Xidməti tel. (+994 12) 4394057 
Mobil tel. (+994 50) 6138667 
Ev tel. (+994 12) 5105319 
Faks  
Elektron poçtu nmursakulov@physics.ab.az