Anadan olduğu yer | Ermənistan Respublikası, Basarkeçər r. | |
Təvəllüdü | 09.06.1976 | |
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi | BDU | |
Elmi dərəcəsi | Fizika üzrə fəlsəfə doktoru | |
Elmi rütbəsi | ||
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
01.04.10 Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası TlGa1-XMXS2(Se2), (M=Fe,Co,) monokristallarının elektrik və optik xassələri |
|
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı - beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı |
38
20 7 |
|
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı | ||
Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı |
||
Əsas elmi nailiyyətləri |
İlk dəfə olaraq, TlGaS2(Se2) laylı kristalları əsasında gallium atomunun qismən dəmir və kobalt atomları ilə kation əvəzləməsi nəticəsində yeni bərk məhlulların alınma rejimi işlənmış və bu tərkib dəyişməsinin elektrik, fotoelektrik, termoelektrik və optik xassələrə təsiri tədqiq olunmuşdur. TlGaSe2-TlFeSe2, TlGaS2–TlCoS2 və TlGaSe2-TlCoSe2 sistemlərinin hal diaqramması qurulmuşdur və göstərilən sistemlərə uyğun müxtəlif tərkibli birləşmələr sintez olunmuşdur. TlGa1-xFexSe2, TlGa1-x CoxS2 və TlGa1-xCoxSe2 (x=0,001; 0,005; 0,01) bərk məhlul sistemlərinin böyuk ölçülü bircins monokristalları yetişdirilmişdir. Sabit elektrik sahəsində T<250K temperaturlarda laylı TlGa0,99Fe0,01Se2 monokristallarında laylara perpendikulyar istiqamətdə sıçrayışlı keçiricilik müəyyən edilmişdir. Bu tip keçiricilik Fermi səviyyəsinin yaxınlığında lokallaşmış enerji səviyyələrində sıçrayışların boyunun dəyişməsi ilə baş verdiyi müəyyənləşdirilmişdir. |
|
Elmi əsərlərinin adları | 1. Гасанов А.И. Фазовые переходы в монокристаллах TlGa1-xCоxS2/ Сборник трудов всероссийской школы-семинара молодых ученых «Физика фазовых переходов» Махачкала, Россия. 2003. с. 8.
2. Мустафаева С.Н., Гасанов А.И. Релаксационные явления в монокристаллах TlGa0,99Fe0.01Se2// Физика твердого тела, 2004, т. 46, в. 11, с.1937-1941. 3. Kerimova E.M., Mustafaeva S.N., Jabbarly A.I., Sultanov G., Hasanov A.I., Kerimov R.N. New magnetic semicondutors on the base of TlBVI-MeBVI systems (Me-Fe, Co, Ni, Mn; B-S, Se, Te) // Physics of Spin in Solids: Materials, Methods and Applications. NATO Science Series: II Mathematics, Physics and Chemistry. 2004, v.156, p.195-206. 4. Mustafaeva S.N., Hasanov A.I. High-frequency dielectric measurements on TlGa1-xFexSe2 single crystals // Energetikanin problemləri, 2005, № 1, s.101-105. 5. Гасанов Н.З., Керимова Э.М., Гасанов А.И, Асадов Ю.Г. Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TlGa1-xFexSе2// Физика Низких Температур. 2007, т.33, №1, с. 115-118. 6. Mustafaeva S.N., Hasanov N.Z., Hasanov A.I. Frequency-dependent dielectric properties of TlGa1-xCoxSe2 single crystals.// Fizika, 2007, Cild XIII, №4, s. 95-98. 7. Керимова Э.М., Гасанов А.И. Фотоэлектрические и оптические свойства монокристаллов твердых растворов. (TlGaS2)1-x(TlInSe2)x. Известия НАН Азербайджана, серия физ.-мат. и тех. наук, 2009, №5, Т.XXIX C.123-128. 8. Kərimova E.M. Həsənov N.Z. Hüseynova K.M. İsayeva A.Ə., TlInS2 və TlGaSe2 birləşmələrində In və Ga atomlarının Dy atomlarla qismən əvəz edilməsinin onların fiziki xassələrinə təsiri. Fizika, 2012, cild XVIII, №2, section: Az. S.36-38 |
|
Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü | ||
Pedaqoji fəaliyyəti | ||
Digər fəaliyyəti | ||
Təltif və mükafatları | ||
Əsas iş yeri və ünvanı | AMEA Fizika İnstitutu, AZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131 | |
Vəzifəsi | Elmi işçi | |
Xidməti tel. | (+994 12) 5395913 | |
Mobil tel. | (+994 55) 2030014 | |
Ev tel. | (+994 12) 5693055 | |
Faks | (+994 12) 5395961 | |
Elektron poçtu | anarturan@gmail.com |