Eminov Şixəmir Osmat oğlu

 

Anadan olduğu yer Azərbaycan Respublikası, Zaqatala şəhəri 
Təvəllüdü 30.10.1955 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Azərbaycan Dövlət Universiteti 
Elmi dərəcəsi Fizika-riyaziyyat elmlər üzrə fəlsəfə doktoru
Elmi rütbəsi Dosent 
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı



01.04.10

Yarımkeçirilər və dielektriklər fizikası

Maye fazadan epitaksiya üsulu ilə göyərdilən InSb əsasında epitaksial P+-P –strukturların elektrik, fotoelektrik və optik xassələrinin tədqiqi. 
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

90

 

50

 

12

 

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı 8
Kadr hazırlığı:     

- fəlsəfə doktorlarının sayı

 
Əsas elmi nailiyyətləri

İndium antimonid (InSb) və  HgCdTe  darzolağlı yarımkeçirici  materiallarının  maye fazadan epitaksiya üsulu ilə  epitaksial təbəqələrinin  yetişdirmə texnoloqiyası  işlənilmişdir

Elmi əsərlərinin adları

1.Sh. O. Eminov and A. A. Radjabli A device for liquid- phase epitaxy, Instrumentsand Experimental Techniques, volume 53, number 2, 298-300, doi: 10.1134/s0020

2. Sh. O. Eminov, A. A. Rajabli, and T. I. Ibragimov. Effect of the Cd0.96Zn0.04Te substrate polishing procedure on CdHgTe liquid phase epitaxy, Inorganic Materials, 2010, v.46, 7, 714-

3. Sareminia, Gh.; Hajian, M.; Simchi, H.; Eminov Sh.;,Characterisation of photodiodes, made from a p-type epitaxial layer grown on n-type InSb <1 1 1> by LPE method, Infrared Physics & Technology, 2010, 53, 5, p. 315-319.

4.Sh. O. Eminov, Kh. D. Jalilova and E. A. Mamedova, Wet chemical etching of the (111)In and (111)Sb planes of InSb substrates, Inorganic Materials, 47,Number 4 (2011), 340-344, DOI: 10.1134/S0020168511040091 

4. Huseynov E. Eminov Sh et al Evaluation of composition reproducibility of hgcdte epitaxial layers grown in novel liquid phase epitaxy apparatus, Jap. Journ. of Appl.Physics 50(2011) 05FB16-1-2.

5.Sh.O.Eminov, D.B.Tagiyev et al. Photo and electrical peculiarities of the nanostructured glass/ITO/AAO and glass/ITO/CdS systems. J. Mater Sci: Mater Electron, 2016 DOI 10.1007/s10854-016-5053-9. Impact factor 1.569.

6. Sh.O.Eminov.  Study of the impurity   photo conductivity in p-InSb using epitaxial p+ contacts , Semiconductors, 2016  V.50. no.8 pp 1003-1009 DOI: 10.1134/S1063782616080108  Impact factor 0.7 (Физика и Техника полупроводников, 2016, т.50, №8, стр.1025-1029.)
Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti 1991-ci ildən hal-hazıra qədər Azərbaycan Texniki Universitetində dosent 
Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları  
Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnsitutuAZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131
Vəzifəsi Aparıcı elmi işçi 
Xidməti tel. (+994 12) 4324336
Mobil tel. (+994 50) 3403453 
Ev tel. (+994 12) 4319530 
Faks (+994 12) 4324336 
Elektron poçtu shikhamir@mail.ru