az en ru
Azərbaycanda 1995-ci ildə istifadəyə verilmiş ilk veb-sayt
Bu gün
Ana səhifəStrukturAMEA-nın müxbir üzvləri Vladimir İsmayıl oğlu Tahirov

Anadan olduğu yer:

Ermənistan Respublikası  Sisyan rayonu, Urud kəndi

Təvəllüdü: 05.04.1932
Təhsili: Ağdam Müəllimlər İnstitutu, fizika-riyaziyyat fakültəsi; Bakı Dövlət Universiteti, fizika-riyaziyyat fakültəsi
Elmi dərəcəsi:

Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru

Elmi rütbəsi: Professor
Doktorluq dissertasiyasının ixtisas şifri və ixtisasın adı:

01.04.10 – Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

Müxbir üzv seçildiyi tarix və ixtisasın adı: 2001, fizika
Çapdan çıxmış elmi əsərlərin ümumi sayı:

9 dərslik, 241 elmi məqalə, 65 tezis, 3 monoqrafiya

Xaricdə çıxmış elmi əsərlərin sayı: 150
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı:

2 müəlliflik şəhadətnaməsi, 12 patent

Əsas elmi nailiyyətləri:

Külli miqdarda yarımkeçiricilərin (Ge, Ge-Si, Te, GaSb, BiSb, Te-Se, A3B5 tipli birləşmələr və s.) fundamental xassələrinin tədqiqinə və geniş spektrli xassələrə  malik olan yeni yarımkeçirici maddələrin kəşf edilməsinə yönəlmişdir. O, A3I B5IIIC9VI tipli böyük perspektivi olan yeni üçqat yarımkeçirici birləşmələr sinfini kəşf etmişdir (buraya 45-dən çox birləşmə daxildir). Onun apardığı kompleks tədqiqatlar nəticəsində adları çəkilən maddələrin fundamental udma kənarının, qadağan olunmuş zonalarının, rəqs spektrlərinin, homo- və hetero-keçidlərinin xüsusiyyətləri, foto- və katodo-lüminessensiya hadisələrinin, yükdaşıyıcıların səpilmə mexanizmlərinin, aşqarların bir-biri ilə qarşılıqlı təsirinin xarakteri müəyyən edilmişdir. Bu tədqiqatlar zamanı o, bir sıra yeni metodlar işləyib hazırlamışdır. Onlardan: güclü seqreqasiyaya malik olan bərk məhlulların monokristallarının alınma üsulu, güclü buxarlanan komponenti olan peritektik birləşmələrin monokristallarının alınma üsulu, aşqar səviyyələrinin təyin edilməsinin yeni üsulu, bərk cisimlərin istilik tutumunun təyin edilməsinin ekspres üsulu, p-tip yarımkeçiricilərdə dərin donor səviyyələrinin aşkara çıxarılması üsulu və s. xüsusi qeyd etmək olar.

Kadr hazırlığı:
elmlər namizədlərinin sayı: 33
elmlər doktorlarının sayı: 7
Əsas elmi əsərlərin adları:
  1. "Ge-Si yarımkeçirici bərk məhlulları" (rus dilində), "Elm", Bakı, 1983, 208səh. 

  2. " A3IB5IIIC9VI tipli yeni üçqat yarımkeçirici birləşmələr sinfi" (rus dilində), BDU-nun nəşriyyatı, Bakı, 2001, 304 səh.

  3. "Yarımkeçiricilərdə aşqar səviyyələrinin təyin edilməsi haqda" (rus dilində), FTP, 4, №11, səh. 2182-2184, 1970

  4. "GaSb-un kristallaşması zamanı defektlərin yaranmasının və qaz faza ilə qarşılıqlı təsirin mexanizmi haqda". Электронная техника, серия 14, №7, с. 93-96, 1971

  5. " Cu3Jn5S9 layvari monokristallarının infraqırmızı əksolunma spektri". Phys. Stat. Solidi, 144, №1, K73-K76, 1987

Pedaqoji fəaliyyəti:
1974-1990 Azərbaycan Dövlət Universitetində kafedra müdiri
1974- h/h Bakı Dövlət Universitetində professor
Vəzifəsi: Professor
İş yeri və ünvanı: Bakı Dövlət Universiteti, AZ1073, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., Z. Xalilov küç., 23
Ev tel.: (994 12) 4301470