01.04.10 - Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

34,1

Müxtəlif kristal quruluşu olan (zəncirvari, laylı, kubik və s.) elementar (selen) və mürəkkəb yarımkeçiricilərdə (GaSe, Ga₂ Se₃, EuGa₂Se₄, CaGa₂ S₄  və s.) 77300K temperatur intervalında, qüvvətli elektrik sahəsində (10-10⁵ V/sm) elektrikkeçirmə mexanizminin yüksək daşıyıcıların injeksiyası və termoelektron ionlaşma ilə əlaqədar olması müəyyənləşdirilmişdir. Yüksək müqavimətli və enli zolaqlı yarımkeçiricilərdə injeksiya olunmuş yükdaşıyıcıların dərin tələlər tərəfindən tutulmaları ilə bağlı olan elek-tret və fotoelektret effekti aşkar edilmiş, bu effektlər əsasında müxtəlif çeviricilər hazırlanmış (mikrofon, seysmoqəbuledici və s.). Nadir torpaq elementləri ilə aktivləşdirilmiş CaGa₂S₄ tipli birləşmələr əsasında mexanizmi atomdaxili elektron keçidləri ilə bağlı olan sarı, mavi, yaşıl və qırmızı rəngli effektiv şüalanma alınmış, Bakı "Azərelektrik işıq" istehsalat birliyində həmin rənglərdə lümenessent lampaları istehsal olunmuşdur. Yapon alimləri ilə birlikdə dünyada ilk dəfə CaGa₂S₄:Eu²⁺ monokristallarında lazer alınmışdır.

25

5

1. Электрические и фотоелектрические свойства монокристалла PbGa₂Se₄ "Неорган. мат.", 1999, т.35, №1, стр. 33-35

2. Коэффициент оптического поглощения в монокристаллах PbGa₂Se₄ ФТП, 1999, т.33, №1, стр. 39-41

3. Оптические свойства соединения Ca₄Ga₂S₇:Eu²⁺ ФТП, 2000, т.34, b.10,  стр. 1170-1173

4. Electrical conductivitu of P-GaSe single crystals in strong elec.field. Phus. st. Sol.16, 205, 1966

5. Электропоглощение в GaSe. ФТП, 12, 1350, 1970, изд ."Наука"

"Şərəf nişanı" ordeni - 1986;
V.İ.Leninin anadan olmasının 100 illiyi ilə əlaqədar "Şərəfli əməyə görə" medalı - 1970;
Azərbaycanın SSR Dövlət mükafatı laureatı - 1988;
"Əmək veteranı" medalı;

Müxtəlif illərdə saat hesabı ilə Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universitetində və Texniki Universitetdə işləmişdir. Hazırda AMAA-da ümumi fizika kursundan mühazirələr oxuyur.